Думаете, что это русские инженерные идеи изменили мир?
Термоядерное оружие русских инженеров точно отбило охоту у США демократизировать не только диких славян, но и еще полмира. И космос русские инженеры первыми освоили. Это уж потом янки за ними полетели.
Я хоть и не по самые уши, но в теме. Вы, судя по Вашей ура-патриотической реакции на любые замечания, или не в теме или просто выдаете желаемое за действительное.
Я хоть и не по самые уши, но в теме. Вы, судя по Вашей ура-патриотической реакции на любые замечания, или не в теме или просто выдаете желаемое за действительное.
Госкорпорация Роснано проинвестировала $35,2 млн в дизайн-центр 90 нм чипов зеленоградской компании ЭЛВИС. Таким образом, среди проектов Роснано появилась полная технологическая цепочка по разработке и производству сравнительно современных микросхем.
У возглавляемой Анатолием Чубайсом госкорпорации Роснано появился собственный разработчик чипов — зеленоградское ГУП НПЦ ЭЛВИС («Электронно-вычислительные информационные и инструментальные системы»). На его базе будет создан центр проектирования микросхем с топологией 90 нм и менее. При общей сумме инвестиций в дизайн-центр $93,6 млн, Роснано вложит в проект $35,2 млн.
ЭЛВИС поддерживает тесные связи с отечественной оборонкой, в предприятия которой поставляет разработанные микросхемы. Другая широко известная сфера деятельности ЭЛВИС — производство интеллектуальных систем видеонаблюдения на основе собственной элементной базы. Сейчас микросхемы ЭЛВИСа производятся по топологии не меньше 130 нм. Гендиректор завода «Микрон» Геннадий Красников охарактеризовал ЭЛВИС как «опытного, уважаемого в отрасли разработчика, чья деятельность всегда была связана с обработкой сигнала». По его словам, до сих пор ЭЛВИС не размещал на «Микроне» заказов на чипы, предпочитая ему зарубежных производителей.
Не зная подробностей бизнес-плана проекта, судить о масштабе инвестиций в дизайн-центр сложно, говорят представители отрасли. Но, в любом случае, «для развития инновационной экономики России требуется не менее сотни таких дизайн центров, каждый со своей специализацией, плюс системный дизайн (то есть, то, что в мировой терминологии называется ODM компаниями — original design manufacturers)», — заявила представитель концерна Sitronics Карина Абагян.
Представители Роснано и гендиректор ЭЛВИСа Ярослав Петричкович оказались недоступны для комментариев.
Госкорпорация Роснано проинвестировала $35,2 млн в дизайн-центр 90 нм чипов зеленоградской компании ЭЛВИС.
Тут кидок сразу с двух сторон. Во-первых цадики отпиливают бабки инвестируя в устаревшие технологии, а во-вторых ЭЛВИС это же анограмма ЛЭВИС. Тоесть бабки уйдут производителям дешевых джинс!
Инженеры из Института физики твёрдого тела им. Макса Планка (Германия) и Миланского технического университета (Италия) сконструировали микроскопические ячейки памяти на основе графеновых нанолент.
Для того чтобы изготовить узкие — шириной менее 20 нм — ленты, авторы расположили на однослойном графене нановолокна оксида ванадия V2O5. Заготовки поместили под пучок ионов аргона, который удалил графен с неприкрытых участков; затем образцы обрабатывались водой для смыва нановолокон. Оставшиеся наноленты имели аккуратные края, что положительно сказывалось на их характеристиках.
Дальнейшие эксперименты показали, что такие ленты позволяют создавать надёжные ячейки памяти, довольно быстро совершающие переход между двумя состояниями с разной проводимостью. «Эффект памяти, вероятно, связан с влиянием зарядов, захваченных расположенными вокруг нанолент молекулами воды, которые адсорбируются на подложке из диоксида кремния, используемой в наших устройствах», — рассуждает один из авторов Роман Сордан (Roman Sordan).
В опытах переключение между двумя состояниями выполнялось с помощью следовавших с частотой до 1 кГц импульсов длительностью до 500 нс, причём устройства успешно выдержали более 107 циклов переключения. Ячейки памяти на нанолентах также имеют очень небольшие размеры, что учёные считают важным преимуществом своей разработки. «Такие ячейки можно использовать для создания как статической оперативной памяти с произвольным доступом (SRAM), так и энергонезависимой памяти», — отмечает г-н Сордан.
В будущем исследователи намерены приспособить наноленты для изготовления логических вентилей. «Мы уже конструировали графеновые вентили, но наноленты, пожалуй, подходят лучше», — комментирует профессор Сордан.
Для того чтобы изготовить узкие — шириной менее 20 нм — ленты, авторы расположили на однослойном графене нановолокна оксида ванадия V2O5. Заготовки поместили под пучок ионов аргона, который удалил графен с неприкрытых участков; затем образцы обрабатывались водой для смыва нановолокон. Оставшиеся наноленты имели аккуратные края, что положительно сказывалось на их характеристиках.
Что творится-то на белом свете! Куда мир катится?!